Sick VTE18 Фотоэлектрические Датчики

Sick VTE18

Артикул: Sick VTE18

Фотоэлектрические датчики Sick VTE18 выпускают в цилиндрическом корпусе М18. Материал корпуса изготавливают из металла или пластика. На выбор предлагаются модели с радиальным или осевым расположением луча. Напряжение питания переменное 20-253 В или постоянное 10-30 В, в зависимости от модели.

Документация по Sick VTE18

VTE18_eng

Диапазон рабочих температур датчиков Sick VTE18 от -20 до 60 градусов Цельсия, а степень защиты IP67. Рабочая частота 250 Гц. Источник света в датчиках VTE18 красный или инфракрасный светодиод, в зависимости от модели.

Информация для заказа

Наименование	Характеристика	Ед.изм.
VTE18-3E2112	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E2112, заказной код 6013375. Диапазон сканирования - 3…200 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, без настройки чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, кабель 3-wire 2 м	шт.
VTE18-3E2240	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E2240, заказной код 6013395. Диапазон сканирования - 3…200 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, с настройкой чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, разъем М12 4-pin	шт.
VTE18-3E2640	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E2640, заказной код 6013449. Диапазон сканирования - 3…200 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, без настройки чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, разъем М12 4-pin	шт.
VTE18-3E4240	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E4240, заказной код 6013251. Диапазон сканирования - 5…400 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, c настройкой чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, разъем М12 4-pin	шт.
VTE18-3E4612	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E4612, заказной код 6013303. Диапазон сканирования - 5…400 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - PBT/PC, без настройки чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, кабель 3-wire 2 м	шт.
VTE18-3E8212	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E8212, заказной код 6013105. Диапазон сканирования - 10…800 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, с настройкой чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, кабель 3-wire 2 м	шт.
VTE18-3E8240	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183E8240, заказной код 6013107. Диапазон сканирования - 10…800 мм, инфракрасный свет, тип выхода - NPN, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, с настройкой чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, разъем М12 4-pin	шт.
VTE18-3F2112	Фотоэлектрический датчик Sick VTE183F2112, заказной код 6013384. Диапазон сканирования - 3…200 мм, инфракрасный свет, тип выхода - PNP, Q=light-switching, открытый коллектор, материал корпуса - никелированная латунь, без настройки чувствительности, напряжение питания 10 - 30 В постоянного тока, осевое исполнение, кабель 3-wire 2 м	шт.